Die Gebrauchstemperatur des gewöhnlichen Siliziumkarbid-Heizelements beträgt 1400 Grad. Die Einsatztemperatur des speziellen Siliziumkarbid-Heizelements kann auf 1600 bis 1650 Grad erhöht werden, indem Hochtemperatur-Einweichsintern, Oberflächensprühkeramik, Zugabe spezieller Substanzen und Kaltende-Imprägnierung in geschmolzenem Silizium und andere Technologien und sogar bis zu 1800 verwendet werden Grad in Argonatmosphäre. Der spezifische Widerstand von Siliziumkarbid beträgt 50 Ω·cm (20°C), 27 Ω·cm (300 Grad), 2 Ω·cm (1000 Grad).
Der Hot-End-Teil des speziellen Siliziumkarbid-Heizelements ist selbstgebundenes gesintertes Siliziumkarbid. Die Vergleichsstelle hat die gleiche Struktur, enthält jedoch eine ausreichende Menge an Silizium, um ihre Leitfähigkeit zu erhöhen. Es gibt auch die Zugabe von Aluminiumdisilizid (MoSi2) zum Siliziumkarbid im tropischen Teil, und die Langzeitgebrauchstemperatur des resultierenden Heizelements kann auf 1700 Grad erhöht werden
